AllgemeinGerätetypSolid-State-Disk - internKapazität1 TBHardwareverschlüsselungJaVerschlüsselungsalgorithmus256-Bit-AESNAND-Flash-SpeichertypTLC (Triple-Level Cell)FormfaktorM.2 2280SchnittstellePCI Express 3.0 x4 (NVMe)Puffergröße1 GBMerkmaleTRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.Breite22.15 mmTiefe80.15 mmHöhe2.38 mmGewicht8 gLeistungSSD-Leistung600 TBInterner Datendurchsatz3500 MBps (lesen)/ 3300 MBps (Schreiben)4 KB Random Read19000 IOPS4 KB Random Write60000 IOPSMaximal 4 KB Random Write550000 IOPSMaximal 4 KB Random Read600000 IOPSZuverlässigkeitMTBF1,500,000 StundenErweiterung und KonnektivitätSchnittstellenPCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 CardKompatibles SchaltfeldM.2 2280StromversorgungEnergieverbrauch6 Watt (Durchschnitt) ¦ 9 Watt (Maximum) ¦ 30 mW (Inaktivität Maximum)VerschiedenesKennzeichnungIEEE 1667HerstellergarantieService und SupportBegrenzte Garantie - 5 JahreUmgebungsbedingungenMin Betriebstemperatur0 °CMax. Betriebstemperatur70 °CSchocktoleranz (in Betrieb)1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen

AllgemeinGerätetypSolid-State-Disk - internKapazität250 GBHardwareverschlüsselungJaVerschlüsselungsalgorithmus256-Bit-AESNAND-Flash-SpeichertypTLC (Triple-Level Cell)FormfaktorM.2 2280SchnittstellePCI Express 3.0 x4 (NVMe)Puffergröße512 MBMerkmaleTRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.Breite22.15 mmTiefe80.15 mmHöhe2.38 mmGewicht8 gLeistungSSD-Leistung150 TBInterner Datendurchsatz3500 MBps (lesen)/ 2300 MBps (Schreiben)4 KB Random Read17000 IOPS4 KB Random Write60000 IOPSMaximal 4 KB Random Write550000 IOPSMaximal 4 KB Random Read250000 IOPSZuverlässigkeitMTBF1,500,000 StundenErweiterung und KonnektivitätSchnittstellenPCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 CardKompatibles SchaltfeldM.2 2280StromversorgungEnergieverbrauch5 Watt (Durchschnitt) ¦ 8 Watt (Maximum) ¦ 30 mW (Inaktivität Maximum)VerschiedenesKennzeichnungIEEE 1667HerstellergarantieService und SupportBegrenzte Garantie - 5 JahreUmgebungsbedingungenMin Betriebstemperatur0 °CMax. Betriebstemperatur70 °CSchocktoleranz (in Betrieb)1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen

AllgemeinGerätetypSolid-State-Disk - internKapazität2 TBHardwareverschlüsselungJaVerschlüsselungsalgorithmus256-Bit-AESNAND-Flash-SpeichertypTLC (Triple-Level Cell)FormfaktorM.2 2280SchnittstellePCI Express 3.0 x4 (NVMe)Puffergröße2 GBMerkmaleRAPID-Modus-Unterstützung, V-NAND Technology, eDrive, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix ControllerBreite22.15 mmTiefe80.15 mmHöhe2.38 mmGewicht8 gLeistungSSD-Leistung1200 TBInterner Datendurchsatz3500 MBps (lesen)/ 3300 MBps (Schreiben)4 KB Random Read19000 IOPS4 KB Random Write60000 IOPSMaximal 4 KB Random Write560000 IOPSMaximal 4 KB Random Read620000 IOPSErweiterung und KonnektivitätSchnittstellenPCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 CardKompatibles SchaltfeldM.2 2280VerschiedenesKennzeichnungIEEE 1667HerstellergarantieService und SupportBegrenzte Garantie - 5 Jahre

AllgemeinGerätetypSolid-State-Disk - internKapazität500 GBHardwareverschlüsselungJaVerschlüsselungsalgorithmus256-Bit-AESNAND-Flash-SpeichertypTLC (Triple-Level Cell)FormfaktorM.2 2280SchnittstellePCI Express 3.0 x4 (NVMe)Puffergröße512 MBMerkmaleTRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.Breite22.15 mmTiefe80.15 mmHöhe2.38 mmGewicht8 gLeistungSSD-Leistung300 TBInterner Datendurchsatz3500 MBps (lesen)/ 3200 MBps (Schreiben)4 KB Random Read19000 IOPS4 KB Random Write60000 IOPSMaximal 4 KB Random Write550000 IOPSMaximal 4 KB Random Read480000 IOPSZuverlässigkeitMTBF1,500,000 StundenErweiterung und KonnektivitätSchnittstellenPCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 CardKompatibles SchaltfeldM.2 2280StromversorgungEnergieverbrauch5.8 Watt (Durchschnitt) ¦ 9 Watt (Maximum) ¦ 30 mW (Inaktivität Maximum)VerschiedenesKennzeichnungIEEE 1667HerstellergarantieService und SupportBegrenzte Garantie - 5 JahreUmgebungsbedingungenMin Betriebstemperatur0 °CMax. Betriebstemperatur70 °CSchocktoleranz (in Betrieb)1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen

AllgemeinGerätetypSolid State Drive - internKapazität1.92 TBFormfaktor2.5" (6.4 cm)SchnittstelleSATA 6Gb/sByte pro Sektor512MerkmaleNative Command Queuing (NCQ), TRIM-Unterstützung, Samsung V-NAND 3bit MLC TechnologyBreite69.85 mmTiefe100.2 mmHöhe7 mmGewicht70 gLeistungSSD-Leistung10512 TBDetails zur DatenübertragungsgeschwindigkeitSerial ATA: 600 MB/sInterner Datendurchsatz560 MBps (lesen)/ 530 MBps (Schreiben)4 KB Random Read97000 IOPS4 KB Random Write60000 IOPSZuverlässigkeitMTBF2,000,000 StundenNicht-korrigierbare Datenfehler1 pro 10^17Erweiterung und KonnektivitätSchnittstellen1 x SATA 6 Gb/sKompatibles Schaltfeld2.5" (6.4 cm)StromversorgungEnergieverbrauch2.3 Watt (Lesen) ¦ 3 Watt (Schreiben) ¦ 1.4 Watt (Leerlauf)VerschiedenesKennzeichnungRoHSVerpackungBulkUmgebungsbedingungenMin Betriebstemperatur0 °CMax. Betriebstemperatur70 °CMin. Lagertemperatur-40 °CMax. Lagertemperatur85 °CZulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb5 - 95 % (nicht kondensierend)Schocktoleranz (nicht in Betrieb)1500 g @ 0,5 ms SinushalbwellenVibrationstoleranz (nicht in Betrieb)20 g @ 20-2000 Hz

AllgemeinGerätetypSolid-State-Disk - internKapazität480 GBFormfaktor2.5" (6.4 cm)SchnittstelleSATA 6Gb/sByte pro Sektor512MerkmaleNative Command Queuing (NCQ), TRIM-Unterstützung, Samsung V-NAND 3bit MLC TechnologyBreite69.85 mmTiefe100.2 mmHöhe7 mmGewicht70 gLeistungSSD-Leistung2628 TBDetails zur DatenübertragungsgeschwindigkeitSerial ATA: 600 MB/sInterner Datendurchsatz560 MBps (lesen)/ 530 MBps (Schreiben)4 KB Random Read97000 IOPS4 KB Random Write60000 IOPSZuverlässigkeitMTBF2,000,000 StundenNicht-korrigierbare Datenfehler1 pro 10^17Erweiterung und KonnektivitätSchnittstellen1 x SATA 6 Gb/sKompatibles Schaltfeld2.5" (6.4 cm)StromversorgungEnergieverbrauch2.3 Watt (Lesen) ¦ 3 Watt (Schreiben) ¦ 1.4 Watt (Leerlauf)VerschiedenesKennzeichnungRoHSVerpackungBulkUmgebungsbedingungenMin Betriebstemperatur0 °CMax. Betriebstemperatur70 °CMin. Lagertemperatur-40 °CMax. Lagertemperatur85 °CZulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb5 - 95 % (nicht kondensierend)Schocktoleranz (nicht in Betrieb)1500 g @ 0,5 ms SinushalbwellenVibrationstoleranz (nicht in Betrieb)20 g @ 20-2000 Hz

AllgemeinGerätetypSolid State Drive - internKapazität1.92 TBFormfaktor2.5" (6.4 cm)SchnittstelleU.2 PCIe 4.0 x4 (NVMe)LeistungInterner Datendurchsatz6800 MBps (lesen)/ 4000 MBps (Schreiben)4 KB Random Read1000000 IOPS4 KB Random Write180000 IOPSErweiterung und KonnektivitätSchnittstellenPCI Express 4.0 x4 U.2 (NVMe)Kompatibles Schaltfeld2.5" (6.4 cm)

AllgemeinGerätetypSolid-State-Disk - internKapazität1 TBHardwareverschlüsselungJaVerschlüsselungsalgorithmus256-Bit-AESNAND-Flash-SpeichertypQuad-Level Cell (QLC)Formfaktor2.5" (6.4 cm)SchnittstelleSATA 6Gb/sPuffergröße1 GBMerkmaleTRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Worldwide Name (WWN), TurboWrite Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, Samsung V-NAND 4bit MLC Technology, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667Breite69.85 mmTiefe100 mmHöhe6.8 mmGewicht46 gLeistungSSD-Leistung360 TBInterner Datendurchsatz560 MBps (lesen)/ 530 MBps (Schreiben)4 KB Random Read11000 IOPS4 KB Random Write35000 IOPSMaximal 4 KB Random Write88000 IOPSMaximal 4 KB Random Read98000 IOPSZuverlässigkeitMTBF1,500,000 StundenErweiterung und KonnektivitätSchnittstellen1 x SATA 6 Gb/sKompatibles Schaltfeld2.5" (6.4 cm)StromversorgungEnergieverbrauch2.2 Watt (Durchschnitt) ¦ 4 Watt (Maximum) ¦ 0.03 Watt (Leerlauf) ¦ 0.003 Watt (Sleep-Modus)Software & SystemanforderungenSoftware inbegriffenSamsung Magician SoftwareHerstellergarantieService und SupportBegrenzte Garantie - 3 JahreUmgebungsbedingungenMin Betriebstemperatur0 °CMax. Betriebstemperatur70 °CMin. Lagertemperatur-45 °CMax. Lagertemperatur85 °CZulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb5 - 95 % (nicht kondensierend)Schocktoleranz (nicht in Betrieb)1500 g @ 0,5 msVibrationstoleranz (nicht in Betrieb)20 g @ 20-2000 Hz

AllgemeinGerätetypSolid-State-Disk - internKapazität2 TBHardwareverschlüsselungJaVerschlüsselungsalgorithmus256-Bit-AESNAND-Flash-SpeichertypQuad-Level Cell (QLC)Formfaktor2.5" (6.4 cm)SchnittstelleSATA 6Gb/sPuffergröße2 GBMerkmaleTRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Schlafmodus, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667Breite69.85 mmTiefe100 mmHöhe6.8 mmGewicht46 gLeistungSSD-Leistung720 TBInterner Datendurchsatz560 MBps (lesen)/ 530 MBps (Schreiben)4 KB Random Read11000 IOPS4 KB Random Write35000 IOPSMaximal 4 KB Random Write88000 IOPSMaximal 4 KB Random Read98000 IOPSZuverlässigkeitMTBF1,500,000 StundenErweiterung und KonnektivitätSchnittstellen1 x SATA 6 Gb/s - 7-poliges Serial ATAKompatibles Schaltfeld2.5" (6.4 cm)StromversorgungEnergieverbrauch3.3 Watt (Durchschnitt) ¦ 5.5 Watt (Maximum) ¦ 0.045 Watt (Leerlauf)HerstellergarantieService und SupportBegrenzte Garantie - 3 JahreUmgebungsbedingungenMin Betriebstemperatur0 °CMax. Betriebstemperatur70 °CSchocktoleranz (in Betrieb)0,5 ms SinushalbwellenSchocktoleranz (nicht in Betrieb)1500 g @ 0,5 ms

AllgemeinGerätetypSolid-State-Disk - internKapazität4 TBHardwareverschlüsselungJaVerschlüsselungsalgorithmus256-Bit-AESNAND-Flash-SpeichertypQuad-Level Cell (QLC)Formfaktor2.5" (6.4 cm)SchnittstelleSATA 6Gb/sPuffergröße4 GBMerkmaleTRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Schlafmodus, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667Breite69.85 mmTiefe100 mmHöhe6.8 mmGewicht54 gLeistungSSD-Leistung1.44 PBInterner Datendurchsatz560 MBps (lesen)/ 530 MBps (Schreiben)4 KB Random Read11000 IOPS4 KB Random Write35000 IOPSMaximal 4 KB Random Write88000 IOPSMaximal 4 KB Random Read98000 IOPSZuverlässigkeitMTBF1,500,000 StundenErweiterung und KonnektivitätSchnittstellen1 x SATA 6 Gb/s - 7-poliges Serial ATAKompatibles Schaltfeld2.5" (6.4 cm)StromversorgungEnergieverbrauch3.3 Watt (Durchschnitt) ¦ 5.5 Watt (Maximum) ¦ 0.045 Watt (Leerlauf)HerstellergarantieService und SupportBegrenzte Garantie - 3 JahreUmgebungsbedingungenMin Betriebstemperatur0 °CMax. Betriebstemperatur70 °CSchocktoleranz (in Betrieb)0,5 ms SinushalbwellenSchocktoleranz (nicht in Betrieb)1500 g @ 0,5 ms